《科创板日报》10 月 5 日讯 近期以来，多国芯片巨头上调产品报价。据央视财经报道，过去半年，全球存储芯片价格持续上涨。特别是最近一个月，涨价消息越发密集。
据《科创板日报》不完全统计：
9 月下旬，三星电子发出第四季度提价通知，计划将部分 DRAM 价格上调 15% 至 30%，NAND 闪存价格上调 5% 至 10%。
NAND 闪存控制芯片大厂群联日前恢复报价，价格涨幅约 10%。
9 月 16 日，西部数据通知客户将逐步提高所有 HDD（机械硬盘）产品的价格。
9 月上旬，闪迪宣布将面向所有渠道和消费者客户的 NAND 产品价格上调 10% 以上。
涉及涨价的存储芯片种类大致涵盖 DRAM 与 NAND 两种类型：前者是一种易失性半导体储器，读取速度相对快但断电后数据瞬间消失，无法长期保存，近期受市场追捧的 HBM 也属于这一类型；后者属于非易失性存储，断电后数据仍能稳定留存，往往负责存放海量数据和模型参数，SSD、HDD 等属于此列。
根据摩根士丹利的最新研报预测，人工智能热潮下，存储芯片行业预计迎来一个"超级周期"。就在日前（10 月 1 日），OpenAI 与三星电子、SK 海力士宣布达成初步供货协议，两家韩国公司将为"星际之门"（Stargate）项目供应存储芯片。韩国总统办公室表示，OpenAI 计划在 2029 年订购 90 万片存储芯片晶圆。
SK 海力士在公告中称，这一需求预测是目前全球高带宽存储芯片（HBM）产能的两倍多，凸显了"星际之门"项目规模之大以及全球人工智能发展之快。
进一步细分来看，在 DRAM、HBM 普遍昂贵且供给紧张的背景下，NAND 有望成为 AI 时代新一轮主流存储选择。
据悉，三星电子已着手开展 HBF 高带宽闪存产品的概念设计等前期开发工作。所谓 HBF，是一种类似 HBM 的专为 AI 领域设计的新型存储器架构，区别在于 HBF 使用 NAND 闪存代替 DRAM。被称作" HBM 之父"的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出，当前的人工智能瓶颈在于内存带宽和容量，速度较慢但容量更高的 NAND 闪存可以作为补充。
摩根士丹利预计，到 2026 年 NAND 闪存将出现高达 8% 的供应缺口。
此外，群联电子董事长潘健成近日接受采访时表示，SSD 将成为大容量存储的主流选择，但目前与 HDD 对比，两者占比为 2：8，由于 SSD 新增容量不足，预期 2026 年起 NAND 闪存将严重短缺，且未来十年供应都将紧张。
与此同时，NAND Flash 价格涨幅已反超 DRAM。据 CFM 闪存市场报价，2025 年第三季度，NAND Flash 市场综合价格指数上涨 5%，DRAM 市场综合价格指数上涨 19.2%。9 月单月来看，NAND Flash 市场综合价格指数上涨 4.7%，DRAM 市场综合价格指数上涨 2.6%。
展望后续，TrendForce 预计 25Q4 NAND Flash 价格将上涨 5-10%。中信证券认为，后续数据中心 eSSD 涨价幅度有望超市场预期，2026 年大容量 QLC SSD 有望出现爆发性增长。
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